RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.2
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
23
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
4043
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link