RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
75
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
75
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
1548
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link