RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
33
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
21
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3168
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link