RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
45
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
5.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
45
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
5.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
1535
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link