RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
57
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
17.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
57
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2328
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Jinyu 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link