RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
36
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
3019
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
INTENSO 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link