RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
3597
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link