RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
15.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
2508
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link