RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
36
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
2346
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link