RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
41
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
41
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
2685
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link