RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
37
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
2898
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link