RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
44
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
44
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3145
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB Porównanie pamięci RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link