RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
30
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3655
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link