RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
40
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
9.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
40
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
2031
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston KF552C40-16 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link