RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
29
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3603
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link