RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
29
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
2284
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link