RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2918
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link