RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
37
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2811
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link