RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
37
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3676
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link