RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3786
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link