Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    23 left arrow 37
    Wokół strony -61% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16.9 left arrow 13.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.5 left arrow 8.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 10600
    Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    37 left arrow 23
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.2 left arrow 16.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.4 left arrow 12.5
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2143 left arrow 2943
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania