RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Porównaj
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
41
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2176
2494
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link