RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3651
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link