RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3135
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link