RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3115
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link