RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2508
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link