RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2577
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link