RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3045
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link