RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3600
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link