RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
28
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
19
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3905
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link