RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
14
28
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.3
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
14
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
25.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
19.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
4182
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link