Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    28 left arrow 42
    Wokół strony 33% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.3 left arrow 12.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.0 left arrow 7.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 8500
    Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    28 left arrow 42
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.7 left arrow 13.3
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.5 left arrow 9.0
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1988 left arrow 2427
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania