RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
12.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
10600
8500
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
28
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
10600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
1770
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link