RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
47
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
47
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2537
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link