RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
68
Wokół strony 59% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
68
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
1812
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link