RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3847
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB Porównanie pamięci RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link