RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3029
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link