RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
27
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3008
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link