RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
35
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
19
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3165
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link