RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
35
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2902
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link