RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2855
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link