RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
35
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
21
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2769
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link