RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
35
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
21
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3034
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link