RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3748
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link