RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
35
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
19
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3310
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link