RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
38
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
38
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3264
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link