RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
35
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
17
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3528
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link