RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3757
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link