RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
53
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
14.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
53
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2366
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link