RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
39
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2910
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link